Confronto tra le RAM Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 16.9

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,123.3 12.4

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 59

Intorno -90% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 , 1.20000005, CAS Supported:
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

731 3043

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns