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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Note globale
AMD R534G1601U1S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
68
Autour de 54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6.6
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R534G1601U1S 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
4.7
3.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
8500
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
31
68
Vitesse de lecture, GB/s
6.6
6.5
Vitesse d'écriture, GB/s
3.6
4.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
12800
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
921
1209
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Comparaison des RAM
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AMD R534G1601U1S 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
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Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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