AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB vs Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Note globale
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AMD R534G1601U1S 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

Note globale
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Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    45 left arrow 68
    Autour de -51% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    10.8 left arrow 6.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.7 left arrow 4.7
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    68 left arrow 45
  • Vitesse de lecture, GB/s
    6.5 left arrow 10.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    4.7 left arrow 8.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1209 left arrow 2237
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons