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AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
比较
AMD R534G1601U1S 4GB vs Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
总分
AMD R534G1601U1S 4GB
总分
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
45
68
左右 -51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.8
6.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
4.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
68
45
读取速度,GB/s
6.5
10.8
写入速度,GB/s
4.7
8.7
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1209
2237
AMD R534G1601U1S 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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