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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905711-032.A00G 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
41
读取速度,GB/s
17.6
13.2
写入速度,GB/s
12.0
7.0
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2040
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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