RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
41
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
41
Velocità di lettura, GB/s
17.6
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2040
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
‹
›
Segnala un bug
×
Bug description
Source link