AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB vs Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Gesamtnote
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AMD R534G1601U1S 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

Gesamtnote
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Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB

Unterschiede

AMD R534G1601U1S 4GB Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S 4GB
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Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    45 left arrow 68
    Rund um -51% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.8 left arrow 6.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.7 left arrow 4.7
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    68 left arrow 45
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.5 left arrow 10.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.7 left arrow 8.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1209 left arrow 2237
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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