RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

総合得点
star star star star star
AMD R534G1601U1S 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 68
    周辺 54% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    6.6 left arrow 6.5
    テスト平均値
AMD R534G1601U1S 4GB 考慮すべき理由
AMD R534G1601U1S 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    4.7 left arrow 3.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 8500
    周辺 1.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    31 left arrow 68
  • 読み出し速度、GB/s
    6.6 left arrow 6.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.6 left arrow 4.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    921 left arrow 1209

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB RAMの比較

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB RAMの比較

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
メモリRAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
メモリRAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
メモリRAM