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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
68
Intorno 54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6.6
6.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
4.7
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
8500
Intorno 1.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
31
68
Velocità di lettura, GB/s
6.6
6.5
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
4.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
12800
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
921
1209
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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