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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
68
En 54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6.6
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
4.7
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
8500
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
31
68
Velocidad de lectura, GB/s
6.6
6.5
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
4.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
12800
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
921
1209
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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