RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB против AMD R534G1601U1S 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Средняя оценка
star star star star star
AMD R534G1601U1S 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 68
    Около 54% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    6.6 left arrow 6.5
    Среднее значение в тестах
AMD R534G1601U1S 4GB Причины выбрать
AMD R534G1601U1S 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    4.7 left arrow 3.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 8500
    Около 1.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    31 left arrow 68
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.6 left arrow 6.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    3.6 left arrow 4.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    921 left arrow 1209

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Сравнения RAM

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB Сравнения RAM

Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
модули RAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 4GB
INTENSO 4GB
модули RAM