RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
54
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
16.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3686
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link