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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
54
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
14.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3262
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
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Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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