RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3262
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link