RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
54
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
8.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
2631
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link