RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
54
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2631
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link