RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
54
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
11.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
2815
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CK0 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link