RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
43
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
16.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3866
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link