RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3866
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link