RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
54
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
6.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
1832
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link