RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1832
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link