RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1832
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link