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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
54
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
8.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
2271
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