Comparación de la memoria RAM Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Puntuación global

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Razones a tener en cuenta
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

32 54

En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

9.8 3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.6 1,308.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 5300

En 3.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

371 2271

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns