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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
54
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
43
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2776
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
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