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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
16800
10600
Rund um 1.58 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
16800
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1578
2318
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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