RAM-Vergleich STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Gesamtnote

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 16.7

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

34 63

Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.3 1,447.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 5300

Rund um 4.83 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

478 2584

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns