Porównanie pamięci RAM STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Wynik ogólny

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

34 63

Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.3 1,447.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 5300

Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

478 2584

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns