Confronto tra le RAM STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

34 63

Intorno -85% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.3 1,447.3

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 5300

Intorno 4.83 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

478 2584

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns