Comparaison de la RAM STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Note globale

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

34 63

Autour de -85% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.3 1,447.3

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 5300

Autour de 4.83 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

478 2584

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns