RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2339
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link