RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2339
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link