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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
10600
8500
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
7.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
8500
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1578
867
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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