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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
72
Rund um -157% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
15.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
3693
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
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