RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3179
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link