RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
11.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
59
Intorno -90% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
31
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3179
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link