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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT25664AC667.C16FH 2GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Crucial Technology CT25664AC667.C16FH 2GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664AC667.C16FH 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
1,415.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664AC667.C16FH 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
66
72
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT25664AC667.C16FH 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
72
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
3,325.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
1,415.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
511
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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