RAM-Vergleich Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 13.8

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 72

Rund um -157% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.1 1,938.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 6400

Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

677 2179

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns