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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
13.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
72
周辺 -157% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
1,938.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
72
28
読み出し速度、GB/s
4,241.0
13.8
書き込み速度、GB/秒
1,938.7
10.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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