Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Gesamtnote
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 11.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 72
    Rund um -132% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.7 left arrow 1,938.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    72 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,241.0 left arrow 11.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,938.7 left arrow 7.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    677 left arrow 1997
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