RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
64
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
12.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
2541
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link