RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
24
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2196
4100
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link