RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
4100
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link