RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
64
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
2460
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link