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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
64
Rund um -129% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
16.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3835
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
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