RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
51
Rund um -155% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2965
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link