RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
96
Rund um -167% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.3
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
21.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
16.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
3610
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link