Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

-->

Средняя оценка

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Средняя оценка

Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Сообщить об ошибке

Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 96

Около -167% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21.3 2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.8 1,336.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

96 36
Скорость чтения, Гб/сек

2,725.2 21.3
Скорость записи, Гб/сек

1,336.0 16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

438 3610

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

модули RAM