RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3610
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link