RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2188
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link